1N8032-GA概述
GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 2.5A, 20NC, TO-257
得捷:
DIODE SIL CARB 650V 2.5A TO257
艾睿:
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated
Verical:
Rectifier Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated
Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 2.5 A, 20 nC, TO-257
1N8032-GA中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.3V @2.5A
耗散功率 66000 mW
反向恢复时间 0 ns
正向电流 2.5 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 32 A
正向电压Max 1.3V @2.5A
正向电流Max 2.5 A
工作温度Max 210 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 250 ℃
耗散功率Max 66000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-257-3
外形尺寸
封装 TO-257-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买1N8032-GA
型号： 1N8032-GA
制造商：
GeneSiC Semiconductor
描述：GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 2.5A, 20NC, TO-257