RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin
RF Transistor NPN 24V 3A 1GHz 21W Stud Mount 55FT
贸泽: RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
艾睿: Trans RF BJT 50V 3A 4-Pin Case 55FT-2
耗散功率 21000 mW
击穿电压集电极-发射极 24 V
增益 8dB ~ 8.5dB
最小电流放大倍数hFE 20 @400mA, 5V
额定功率Max 21 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 21000 mW
引脚数 4
封装 FT-55
高度 16.64 mm
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册