1N5276B-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5276B-TP概述

DO-35 150V 0.5W1/2W

- 齐纳 ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 150V 500MW DO35

贸泽:
MCC

艾睿:
Diode Zener Single 150V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

1N5276B-TP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

稳压值 150 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N5276B-TP

型号： 1N5276B-TP

描述：DO-35 150V 0.5W1/2W

替代型号1N5276B-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5276B-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
NTE5055A NTE Electronics	类似代替	1N5276B-TP和NTE5055A的区别
1N5276B-1 美高森美	功能相似	1N5276B-TP和1N5276B-1的区别
1N5276B-1E3 美高森美	功能相似	1N5276B-TP和1N5276B-1E3的区别