1N5225B

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1N5225B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 480 mW

测试电流 20 mA

稳压值 3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1N5225B
型号: 1N5225B
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Diode Zener Single 3V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35
替代型号1N5225B
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