1PS76SB10,115

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1PS76SB10,115概述

NXP  1PS76SB10,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

The is a single planar Schottky Barrier Diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a very small SOD323 surface-mounted device SMD plastic package. It is used for ultra high-speed switching, voltage clamping, line termination and reverse polarity protection.

.
Low forward voltage
.
Low capacitance
.
AEC-Q101 qualified
1PS76SB10,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 800mV @100mA

热阻 450℃/W RθJA

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.05 mm

封装 SOD-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买1PS76SB10,115
型号: 1PS76SB10,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  1PS76SB10,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
替代型号1PS76SB10,115
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