1PS79SB10

1PS79SB10图片1
1PS79SB10图片2
1PS79SB10图片3
1PS79SB10图片4
1PS79SB10图片5
1PS79SB10图片6
1PS79SB10图片7
1PS79SB10概述

NXP  1PS79SB10  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 800mV/0.8V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Schottky barrier diode. · Low forward voltage · Guard ring protected · Ultra high-speed switching · Voltage clamping · Protection circuits · Blocking diodes. 描述与应用| 肖特基势垒 ·低正向电压,低压降。 ·保护环保护 ·超高速开关 ·电压钳位 ·保护电路


Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 2-Pin SOD-523


Verical:
Diode Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-523


Newark:
# NXP  1PS79SB10  Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 C


1PS79SB10中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 0.8 V

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 800 mV

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

1PS79SB10引脚图与封装图
1PS79SB10引脚图
1PS79SB10封装图
1PS79SB10封装焊盘图
在线购买1PS79SB10
型号: 1PS79SB10
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  1PS79SB10  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
替代型号1PS79SB10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1PS79SB10

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BAT54XV2T1G

安森美

功能相似

1PS79SB10和BAT54XV2T1G的区别

RB520S30T1G

安森美

功能相似

1PS79SB10和RB520S30T1G的区别

RB521S30T1G

安森美

功能相似

1PS79SB10和RB521S30T1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台