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1N6265中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 3.00 V

工作电压 1.70 V

额定功率 6.00 mW

正向电压 1.7 V

波长 940 nm

视角 80°

峰值波长 955 nm

耗散功率 1300 mW

上升时间 1 µs

测试电流 100 mA

正向电流 100 mA

正向电压Max 1.7 V

正向电流Max 100 mA

下降时间 1 µs

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-46-2

外形尺寸

长度 5.31 mm

宽度 5.31 mm

高度 3.94 mm

封装 TO-46-2

物理参数

颜色 Infrared

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1N6265
型号: 1N6265
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:砷化镓红外发光二极管 GaAs INFRARED EMITTING DIODE

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