1KSMBJ62

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1KSMBJ62概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

89V Clamp 11.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 50.2VWM 89VC DO214AA


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 1KW 62VBR


1KSMBJ62中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 62.0 V

工作电压 53 V

额定功率 1.00 kW

击穿电压 55.8 V

耗散功率 1 kW

钳位电压 89 V

最大反向电压(Vrrm) 50.2V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 55.8 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1KSMBJ62引脚图与封装图
1KSMBJ62引脚图
在线购买1KSMBJ62
型号: 1KSMBJ62
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
替代型号1KSMBJ62
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1KSMBJ62

Littelfuse 力特

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1KSMBJ62和1KSMB62的区别

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