1KSMBJ68参数规格_中文资料_数据手册PDF

1KSMBJ68概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

98V Clamp 10.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 55.1VWM 98VC DO214AA

1KSMBJ68中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 68.0 V

工作电压 58.1 V

额定功率 1.00 kW

击穿电压 64.6 V

钳位电压 92 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 61.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级，电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1KSMBJ68

型号： 1KSMBJ68

描述：硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

替代型号1KSMBJ68

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1KSMBJ68 Littelfuse 力特	当前型号	当前型号
1KSMB68 力特	完全替代	1KSMBJ68和1KSMB68的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

1KSMBJ68

Littelfuse 力特

当前型号

1KSMB68

力特

完全替代