1KSMBJ27

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1KSMBJ27概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

39.1V Clamp 25.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 21.8VWM 39.1VC DO214AA


Win Source:
TVS DIODE 21.8VWM 39.1VC SMT


1KSMBJ27中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 27.0 V

工作电压 21.8 V

额定功率 1.00 kW

击穿电压 24.3 V

钳位电压 39.1 V

最大反向电压(Vrrm) 21.8V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 24.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1KSMBJ27引脚图与封装图
1KSMBJ27引脚图
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型号: 1KSMBJ27
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
替代型号1KSMBJ27
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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1KSMBJ27和1KSMB27的区别

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