1KSMBJ30

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1KSMBJ30概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

43.5V Clamp 22.9A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 24.3VWM 43.5VC DO214AA


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 1KW 30VBR


1KSMBJ30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

工作电压 25.6 V

额定功率 1.00 kW

击穿电压 28.5 V

钳位电压 41.4 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 27 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1KSMBJ30引脚图与封装图
1KSMBJ30引脚图
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型号: 1KSMBJ30
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
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