1KSMBJ43

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1KSMBJ43概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

61.9V 夹子 16A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA(SMBJ)


得捷:
TVS DIODE 34.8VWM 61.9VC DO214AA


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 1KW 43VBR


1KSMBJ43中文资料参数规格
技术参数

工作电压 34.8 V

击穿电压 38.7 V

钳位电压 61.9 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 38.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

制造应用 电信, 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1KSMBJ43
型号: 1KSMBJ43
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
替代型号1KSMBJ43
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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1KSMBJ43和1KSMB43的区别

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