1KSMBJ130参数规格_中文资料_数据手册PDF

1KSMBJ130概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

187V 夹子 5.3A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

得捷:
TVS DIODE 105VWM 187VC DO214AA

1KSMBJ130中文资料参数规格

技术参数

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 117 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

制造应用汽车级，电信, 电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1KSMBJ130

型号： 1KSMBJ130

描述：硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor