1KSMBJ16

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1KSMBJ16概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

23.5V Clamp 43.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 12.9VWM 23.5VC DO214AA


1KSMBJ16中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 14.4 V

钳位电压 23.5 V

最大反向电压(Vrrm) 12.9V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 14.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

宽度 3.94 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1KSMBJ16
型号: 1KSMBJ16
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
替代型号1KSMBJ16
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1KSMBJ16

Littelfuse 力特

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完全替代

1KSMBJ16和1KSMB16的区别

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