1KSMBJ20

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1KSMBJ20概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

29.1V Clamp 35A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 16.2VWM 29.1VC DO214AA


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 1KW 20VBR


1KSMBJ20中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 18 V

耗散功率 1 kW

钳位电压 29.1 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 18 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级,电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1KSMBJ20
型号: 1KSMBJ20
描述:硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
替代型号1KSMBJ20
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1KSMBJ20

Littelfuse 力特

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力特

完全替代

1KSMBJ20和1KSMB20的区别

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