1KSMBJ22参数规格_中文资料_数据手册PDF

1KSMBJ22概述

硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

31，9V 夹子 31.7A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

得捷:
TVS DIODE 17.8VWM 31.9VC DO214AA

1KSMBJ22中文资料参数规格

技术参数

工作电压 18.8 V

击穿电压 19.8 V

钳位电压 31.9 V

最大反向电压（Vrrm） 17.8V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 19.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级，电信, 电信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1KSMBJ22

型号： 1KSMBJ22

描述：硅雪崩二极管 - 1000W表面贴装型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

替代型号1KSMBJ22

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1KSMBJ22 Littelfuse 力特	当前型号	当前型号
1KSMB22 力特	功能相似	1KSMBJ22和1KSMB22的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

1KSMBJ22

Littelfuse 力特

当前型号

1KSMB22

力特

功能相似