瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
48.4V Clamp 12.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB
贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 30V 600W
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
额定电压DC 30.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 33.3 V
耗散功率 600 W
钳位电压 48.4 V
最大反向电压（Vrrm） 30V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 33.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1SMB30CAT3 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMB30CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB30CAT3和1SMB30CAT3G的区别 |
SMBJ30CA-TR 意法半导体 | 功能相似 | 1SMB30CAT3和SMBJ30CA-TR的区别 |
SMBJ30CA-13-F 美台 | 功能相似 | 1SMB30CAT3和SMBJ30CA-13-F的区别 |