1SMB26AT3

1SMB26AT3图片1
1SMB26AT3图片2
1SMB26AT3图片3
1SMB26AT3图片4
1SMB26AT3图片5
1SMB26AT3图片6
1SMB26AT3图片7
1SMB26AT3概述

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

42.1V Clamp 14.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMB


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R


1SMB26AT3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 26.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 30.4 V

最大反向电压(Vrrm) 26V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 28.9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

厚度 2.41 mm

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB26AT3
型号: 1SMB26AT3
描述:600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
替代型号1SMB26AT3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1SMB26AT3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

1SMB26AT3G

安森美

完全替代

1SMB26AT3和1SMB26AT3G的区别

SMBJ26A-TR

意法半导体

功能相似

1SMB26AT3和SMBJ26A-TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台