1PMT30AT1G

1PMT30AT1G图片1
1PMT30AT1G图片2
1PMT30AT1G概述

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

48.4V Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount Powermite


得捷:
TVS DIODE 30VWM 48.4VC POWERMITE


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 30V 200W Powermite Unidirectional


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 1KW 2-Pin Power Mite T/R


1PMT30AT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定功率 200 W

击穿电压 33.3 V

电路数 1

耗散功率 1 kW

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

高度 1.15 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1PMT30AT1G
型号: 1PMT30AT1G
描述:齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package
替代型号1PMT30AT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1PMT30AT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SMF30AT1G

安森美

类似代替

1PMT30AT1G和SMF30AT1G的区别

1PMT30AT1

安森美

类似代替

1PMT30AT1G和1PMT30AT1的区别

SMF30A

Diotec Semiconductor

功能相似

1PMT30AT1G和SMF30A的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司