1PMT 系列 26.9 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE
35.5V Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount Powermite
得捷:
TVS DIODE 22VWM 35.5VC POWERMITE
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 1KW 2-Pin Power Mite T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 1KW 2-Pin Power Mite T/R
罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
额定电压DC 22.0 V
额定功率 200 W
击穿电压 25.6 V
耗散功率 200 W
钳位电压 35.5 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 24.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-216AA
长度 2.18 mm
宽度 2.05 mm
高度 1.15 mm
封装 DO-216AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1PMT22AT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1PMT22AT1 安森美 | 完全替代 | 1PMT22AT1G和1PMT22AT1的区别 |
SM2T6V8A 意法半导体 | 功能相似 | 1PMT22AT1G和SM2T6V8A的区别 |
SM2T18A 意法半导体 | 功能相似 | 1PMT22AT1G和SM2T18A的区别 |