1PMT26AT1G

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1PMT26AT1G概述

1PMT 系列 31.9 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE

42.1V 夹子 - Ipp TVS - 表面贴装型 Powermite


得捷:
TVS DIODE 26VWM 42.1VC POWERMITE


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 1KW 2-Pin Power Mite T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


1PMT26AT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 26.0 V

额定功率 200 W

击穿电压 30.4 V

耗散功率 200 W

钳位电压 42.1 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 28.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

长度 2.18 mm

宽度 2.05 mm

高度 1.15 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1PMT26AT1G
型号: 1PMT26AT1G
描述:1PMT 系列 31.9 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE
替代型号1PMT26AT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1PMT26AT1G

ON Semiconductor 安森美

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1PMT26AT1

安森美

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1PMT26AT1G和1PMT26AT1的区别

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