1N4007T-G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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1N4007T-G概述

Diode 1kV 1A 2Pin DO-41

Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41

得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

艾睿:
Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41

Verical:
1N4007T-G

AMEYA360:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

1N4007T-G中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电压Max 1.1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AL

外形尺寸

封装 DO-204AL

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N4007T-G引脚图与封装图

1N4007T-G引脚图

1N4007T-G封装图

1N4007T-G封装焊盘图

在线购买1N4007T-G

型号： 1N4007T-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Diode 1kV 1A 2Pin DO-41