1N4007B-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N4007B-G概述

Diode Gen Purp 1kV 1A Do41

标准 1A 通孔 DO-41

得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

贸泽:
Rectifiers

艾睿:
Diode 50V 1A 2-Pin DO-41 T/R

Verical:
Diode 50V 1A 2-Pin DO-41 T/R

Win Source:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 / Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41

1N4007B-G中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电流 1 A

正向电压Max 1.1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41-2

外形尺寸

封装 DO-41-2

物理参数

工作温度 55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N4007B-G引脚图与封装图

在线购买1N4007B-G

型号： 1N4007B-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Diode Gen Purp 1kV 1A Do41