1N4003B-G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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1N4003B-G概述

整流器 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

标准 200 V 1A 通孔 DO-41

得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

贸泽:
整流器 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

艾睿:
Diode 200V 1A 2-Pin DO-41

1N4003B-G中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @1A

正向电流 1 A

正向电压Max 1.1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41-2

外形尺寸

封装 DO-41-2

物理参数

工作温度 55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N4003B-G引脚图与封装图

1N4003B-G引脚图

1N4003B-G封装图

1N4003B-G封装焊盘图

在线购买1N4003B-G

型号： 1N4003B-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：整流器 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41