1276AS-H-100M=P2

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1276AS-H-100M=P2概述

1210 10uH ±20% 800mA

10µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 588mOhm Max 1210 3225 Metric


得捷:
FIXED IND 10UH 800MA 588MOHM SMD


立创商城:
10uH ±20% 1A 588mΩ


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Metal 800mA 588mOhm DCR 1210 T/R


安富利:
Ind Metal Alloy Shielded 10uH 20% 1MHz Powdered Iron 0.8A 1210 T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.8A 0.588Ohm DCR 1210 T/R


1276AS-H-100M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 800 mA

容差 ±20 %

电感 10 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤588 mΩ

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.588 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买1276AS-H-100M=P2
型号: 1276AS-H-100M=P2
制造商: muRata 村田
描述:1210 10uH ±20% 800mA

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