1N4103

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1N4103概述

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS

PER MIL-PRF-19500/435

LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A

LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage at 200 mA: 1.1 Volts maximum


艾睿:
Zener Diode Single 9.1V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


Verical:
Zener Diode Single 9.1V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


1N4103中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 0.5 W

测试电流 0.25 mA

稳压值 9.1 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AH

外形尺寸

长度 5.08 mm

宽度 2.29 mm

高度 2.29 mm

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1N4103
型号: 1N4103
描述:硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
替代型号1N4103
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N4103

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当前型号

当前型号

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完全替代

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