1N5262B TR

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1N5262B TR中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AH

外形尺寸

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: 1N5262B TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Diode Zener 51V 0.5W1/2W Do35

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