1N5226B-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5226B-G概述

稳压二极管 VR=3.3V

- 齐纳 ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

贸泽:
稳压二极管 VR=3.3V

艾睿:
Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo

1N5226B-G中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 3.3 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4.2 mm

封装 DO-35-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N5226B-G引脚图与封装图

在线购买1N5226B-G

型号： 1N5226B-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：稳压二极管 VR=3.3V

替代型号1N5226B-G