1N5230BDO35参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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1N5230BDO35概述

Diode Zener 4.7V 0.5W1/2W Do35

- 齐纳 4.7 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

1N5230BDO35中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 4.70 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.5V @200mA

稳压值 4.7 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

材质 Glass

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N5230BDO35

型号： 1N5230BDO35

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Diode Zener 4.7V 0.5W1/2W Do35

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威世

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1N5230BDO35和1N5230B-T的区别