1N5239BDO35参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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1N5239BDO35概述

Diode Zener 9.1V 0.5W1/2W Do35

- 齐纳 ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

1N5239BDO35中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 9.10 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.5V @200mA

稳压值 9.1 V

正向电压Max 1.5V @200mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

材质 Glass

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买1N5239BDO35

型号： 1N5239BDO35

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Diode Zener 9.1V 0.5W1/2W Do35

替代型号1N5239BDO35

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5239BDO35 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
1N5239BDO-35 美高森美	完全替代	1N5239BDO35和1N5239BDO-35的区别
1N3517A 美高森美	类似代替	1N5239BDO35和1N3517A的区别
1N5239B-T 美台	功能相似	1N5239BDO35和1N5239B-T的区别