1N5752B参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5752B概述

400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

FEATURES

• ZENER VOLTAGE 4.7 TO 75V

• SMALL RUGGED DOUBLE SLUG CONSTRUCTION DO-35

• CONSTRUCTED WITH AN OXIDE PASSIVATED ALL DIFFUSED DIE

1N5752B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

稳压值 47 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AH

外形尺寸

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买1N5752B

型号： 1N5752B

描述：400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

替代型号1N5752B