1N5729B参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5729B概述

400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

FEATURES

• ZENER VOLTAGE 4.7 TO 75V

• SMALL RUGGED DOUBLE SLUG CONSTRUCTION DO-35

• CONSTRUCTED WITH AN OXIDE PASSIVATED ALL DIFFUSED DIE

艾睿:
Diode Zener Single 5.1V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag

1N5729B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

测试电流 10 mA

稳压值 5.1 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

温度系数 -0.2 mV/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： 1N5729B

描述：400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

替代型号1N5729B