1N5747B参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5747B概述

SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

FEATURES

• ZENER VOLTAGE 4.7 TO 75V

• SMALL RUGGED DOUBLE SLUG CONSTRUCTION DO-35

• CONSTRUCTED WITH AN OXIDE PASSIVATED ALL DIFFUSED DIE

1N5747B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

稳压值 30 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： 1N5747B

描述：SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

替代型号1N5747B