1N5546B参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5546B概述

无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

• 1N5518-1 THRU -1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437

• LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS

• LOW NOISE CHARACTERISTICS

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• METALLURGICALLYBONDED

贸泽:
Zener Diodes Voltage Regulator

艾睿:
Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag

1N5546B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 1 mA

稳压值 33 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-213AA-2

外形尺寸

长度 3.71 mm

封装 DO-213AA-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1N5546B

型号： 1N5546B

描述：无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

替代型号1N5546B