1N6312参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N6312概述

500mW的齐纳二极管 500mW ZENER DIODES

• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS PER MIL-PRF-19500/533

• 500 mW ZENER DIODES

• NON CAVITY CONSTRUCTION

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Power Dissapation: 500 mW @ TL=+75°C @ L=3/8”

Power Derating: 5mW/°C above TL=+75°C

Forward Voltage: 1.4V dc @ IF=1A dc Pulsed

贸泽:
Zener Diodes Voltage Regulator

1N6312中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.4V @1A

耗散功率 500 mW

稳压值 3.3 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： 1N6312

描述：500mW的齐纳二极管 500mW ZENER DIODES

替代型号1N6312