晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V
1HN04CH is a Power MOSFET, 100 V, 8 Ω, 270 mA, Single N-Channel.
Features | | Benefits
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针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 N-CH
耗散功率 600 mW
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.27A
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 15pF @20VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lithium-ion battery charging and discharging cell blance
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free