1812J1K00103KXT参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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1812J1K00103KXT中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1000 V

电容 10000 pF

容差 ±10 %

产品系列 High Q

额定电压 1000 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 2.5 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1812J1K00103KXT

型号： 1812J1K00103KXT

制造商： Syfer Technology

描述：1812 10nF ±10% 1000V X7R

替代型号1812J1K00103KXT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1812J1K00103KXT Syfer Technology	当前型号	当前型号
1812Y1K00103KXT Syfer Technology	类似代替	1812J1K00103KXT和1812Y1K00103KXT的区别
1812AC103KAT1A 艾维克斯	功能相似	1812J1K00103KXT和1812AC103KAT1A的区别
C1812C103KDRACTU 基美	功能相似	1812J1K00103KXT和C1812C103KDRACTU的区别