1812J1K00103KXT

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1812J1K00103KXT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1000 V

电容 10000 pF

容差 ±10 %

产品系列 High Q

额定电压 1000 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 2.5 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1812J1K00103KXT
型号: 1812J1K00103KXT
制造商: Syfer Technology
描述:1812 10nF ±10% 1000V X7R
替代型号1812J1K00103KXT
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