1PS59SB10

1PS59SB10图片1
1PS59SB10概述

肖特基势垒(双)二极管 Schottky barrier double diodes

反向电压Vr

Reverse VoltageVr | 30V

\---|---

平均整流电流Io

Average Rectified CurrentIo | 200MA/0.2A

最大正向压降VF

Forward VoltageVf | 800MV/0.8V

结电容值Cj

Junction capacitanceCj |

耗散功率

Pd Power Dissipation | 250MW/0.25W

Description & Applications | FEATURES

• Low forward voltage

• Guard ring protected

• Small SMD package.

APPLICATIONS

• Ultra high-speed switching

• Voltage clamping

• Protection circuits

• Blocking diodes.

DESCRIPTION

Planar Schottky barrier diodes encapsulated in a SC59 small plastic SMD package. Single diodes and double diodes with different pinning are available.

描述与应用 |   特性

  
.
低正向电压
  
.
保护环保护

  应用程序

  
.
超高速开关
  
.
电压钳位
  
.
保护电路
1PS59SB10中文资料参数规格
技术参数

反向恢复时间 5 ns

正向电压Max 800mV @100mA

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMT-3

外形尺寸

封装 SMT-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买1PS59SB10
型号: 1PS59SB10
制造商: NXP 恩智浦
描述:肖特基势垒(双)二极管 Schottky barrier double diodes
替代型号1PS59SB10
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