1MBI3600U4D-170

1MBI3600U4D-170图片1
1MBI3600U4D-170图片2
1MBI3600U4D-170图片3
1MBI3600U4D-170图片4
1MBI3600U4D-170图片5
1MBI3600U4D-170概述

IGBT 模块,1 个装,Fuji ElectricV - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric

V - 系列,第 6 代现场挡块

U/U4 系列,第 5 代现场挡块

HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT


欧时:
Fuji Electric 1MBI3600U4D-170 N通道 IGBT 模块, 3.6 kA, Vce=1700 V, 6引脚 M152封装


1MBI3600U4D-170中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 18.65 kW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 4.96 kW

封装参数

引脚数 9

封装 Module

外形尺寸

长度 190 mm

宽度 140 mm

高度 38 mm

封装 Module

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1MBI3600U4D-170
型号: 1MBI3600U4D-170
制造商: FUJI 富士电机
描述:IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司