1MBI50U4F-120L-50

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1MBI50U4F-120L-50概述

IGBT 模块,1 个装,Fuji ElectricV - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric

V - 系列,第 6 代现场挡块

U/U4 系列,第 5 代现场挡块

HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT


欧时:
Fuji Electric 1MBi50U4F-120L-50 N通道 IGBT 模块, 50 A, Vce=1200 V, 7引脚 M262封装


1MBI50U4F-120L-50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 275 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 275 W

封装参数

安装方式 Panel

引脚数 7

封装 M262

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30 mm

封装 M262

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买1MBI50U4F-120L-50
型号: 1MBI50U4F-120L-50
制造商: FUJI 富士电机
描述:IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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