1N5621GPHE3/54参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5621GPHE3/54概述

DIODE 1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2Pin, Signal Diode

Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AC DO-15

得捷:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

贸泽:
Rectifiers 800 Volt 1.0A 300ns Glass Passivated

安富利:
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-15 T/R

1N5621GPHE3/54中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.2V @1A

反向恢复时间 300 ns

正向电流 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-15-2

外形尺寸

长度 7.6 mm

宽度 3.6 mm

高度 3.6 mm

封装 DO-15-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N5621GPHE3/54

型号： 1N5621GPHE3/54

描述：DIODE 1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2Pin, Signal Diode

替代型号1N5621GPHE3/54

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5621GPHE3/54 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
1N5621GP-E3/73 威世	类似代替	1N5621GPHE3/54和1N5621GP-E3/73的区别
1N5062 威世	类似代替	1N5621GPHE3/54和1N5062的区别
1N5062GP-E3/54 威世	功能相似	1N5621GPHE3/54和1N5062GP-E3/54的区别