1N5230B-T参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5230B-T概述

1N5230B Series 0.5W1/2W 4.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

Features

● 500mW Power Dissipation

● High Stability

● Surface Mount Equivalents Available

● Hermetic Package

● VZ - Tolerance ±5%

● Lead Free Finish, RoHS Compliant Note 2

得捷:
DIODE ZENER 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

富昌:
1N5230B 系列 500 mW 4.7 V 200 mA 通孔外延齐纳二极管 - DO-35

AMEYA360:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

1N5230B-T中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 4.70 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 4.7 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N5230B-T

型号： 1N5230B-T

描述：1N5230B Series 0.5W1/2W 4.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

替代型号1N5230B-T