1N4113

1N4113图片1
1N4113概述

低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum


艾睿:
Diode Zener Single 19V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag


1N4113中文资料参数规格
技术参数

测试电流 0.25 mA

稳压值 19 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1N4113
型号: 1N4113
描述:低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS
替代型号1N4113
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N4113

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX1N4113-1

美高森美

完全替代

1N4113和JANTX1N4113-1的区别

1N4113D

美高森美

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1N4113和1N4113D的区别

1N4113-1

Sensitron Semiconductor

功能相似

1N4113和1N4113-1的区别

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