1N6382HE3_A/D参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

1N6382HE3_A/D图片1

1N6382HE3_A/D概述

TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE

11.6V Clamp 100A Ipp Tvs Diode Through Hole 1.5KE

得捷:
TVS DIODE 8V 11.6V 1.5KE

1N6382HE3_A/D中文资料参数规格

技术参数

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-201AA

外形尺寸

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N6382HE3_A/D

型号： 1N6382HE3_A/D

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE

替代型号1N6382HE3_A/D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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