1N961B-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N961B-1概述

DO-35 10V 0.5W1/2W

• 1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/117

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage @ 200mA: 1.1volts maximum

1N961B-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买1N961B-1

型号： 1N961B-1

制造商： Microsemi 美高森美

描述：DO-35 10V 0.5W1/2W

替代型号1N961B-1