1N5407G-T

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1N5407G-T概述

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD


得捷:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD


艾睿:
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R


1N5407G-T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 3.00 A

电容 40.0 pF

输出电流 ≤3.00 A

正向电压 1.1V @3A

极性 Standard

热阻 16℃/W RθJA

反向恢复时间 2 µs

正向电流 3 A

正向电压Max 1.1V @3A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 5.3 mm

高度 5.3 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N5407G-T引脚图与封装图
1N5407G-T引脚图
1N5407G-T封装图
1N5407G-T封装焊盘图
在线购买1N5407G-T
型号: 1N5407G-T
制造商: Diodes 美台
描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
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型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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