1EDN8511BXUSA1概述
MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6
半桥，低压侧 栅极驱动器 IC 反相，非反相 PG-SOT23-6-2
得捷:
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
欧时:
Infineon 1EDN8511BXUSA1
立创商城:
半桥 低边 MOSFET 灌:4A 拉:8A
e络盟:
MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6
艾睿:
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R
1EDN8511BXUSA1中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 6.5ns, 4.5ns
输出接口数 2
针脚数 6
下降时间Max 4.5 ns
上升时间Max 6.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 8V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 bricks, DC-DC converters, Industrial, Synchronous rectification, Wireless charging
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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