1EDN7511BXUSA1

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1EDN7511BXUSA1概述

MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6

半桥,低压侧 栅极驱动器 IC 反相,非反相 PG-SOT23-6-2


得捷:
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6


欧时:
Infineon 1EDN7511BXUSA1


立创商城:
半桥 低边 MOSFET 灌:4A 拉:8A


贸泽:
门驱动器 DRIVER IC


e络盟:
MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6


艾睿:
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6 / Half-Bridge, Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-SOT23-6-2


1EDN7511BXUSA1中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 6.5ns, 4.5ns

输出接口数 2

输出电流 8 A

针脚数 6

上升时间 6.5 ns

下降时间 4.5 ns

下降时间Max 4.5 ns

上升时间Max 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Synchronous rectification, bricks, Wireless charging, DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买1EDN7511BXUSA1
型号: 1EDN7511BXUSA1
描述:MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6

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