ON SEMICONDUCTOR 2N6039G 达林顿双极晶体管
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
立创商城:
2N6039G
欧时:
ON Semiconductor 2N6039G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=100, 3引脚 TO-225AA封装
贸泽:
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
e络盟:
达林顿双极晶体管
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Allied Electronics:
ON Semi 2N6039G NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:100, 3-Pin TO-225AA
安富利:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225
Verical:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.5 W, 4 A, 15 hFE
罗切斯特:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk
Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 80 V
输出电流 4 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 83.3℃/W RθJA
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 15000
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40 W
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 11.04 mm
宽度 2.66 mm
高度 2.66 mm
封装 TO-126-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6039G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD679AG 安森美 | 类似代替 | 2N6039G和BD679AG的区别 |
MJE803G 安森美 | 类似代替 | 2N6039G和MJE803G的区别 |
BD679ASTU 安森美 | 类似代替 | 2N6039G和BD679ASTU的区别 |