2N6052G

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2N6052G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N6052G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新

PNP 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor 2N6052G PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装


得捷:
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204


立创商城:
2N6052G


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Allied Electronics:
ON Semi 2N6052G PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 2-Pin TO-204


安富利:
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N6052G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 150 W, 12 A, 18 hFE


罗切斯特:
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


2N6052G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -12.0 A

输出电压 100 V

输出电流 12 A

针脚数 2

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 750 @6A, 3V

最大电流放大倍数hFE 18000

额定功率Max 150 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 W

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6052G
型号: 2N6052G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N6052G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新
替代型号2N6052G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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