ON SEMICONDUCTOR 2N6052G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor 2N6052G PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
立创商城:
2N6052G
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Allied Electronics:
ON Semi 2N6052G PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 2-Pin TO-204
安富利:
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N6052G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 150 W, 12 A, 18 hFE
罗切斯特:
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
额定电压DC -100 V
额定电流 -12.0 A
输出电压 100 V
输出电流 12 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 750 @6A, 3V
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 150 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 W
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6052G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6052 安森美 | 类似代替 | 2N6052G和2N6052的区别 |
JANTX2N6051 美高森美 | 功能相似 | 2N6052G和JANTX2N6051的区别 |
JANTX2N6052 美高森美 | 功能相似 | 2N6052G和JANTX2N6052的区别 |